문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 삼성 파운드리 (문단 편집) == 생산 시설 == || {{{#!wiki style="margin: -5px -10px -6px" [[파일:삼성전자오스틴팹.jpg|width=100%]]}}} || || [[오스틴|'''{{{#ffffff 오스틴 공장 }}}''']] || * 패키지 & 테스트 * SESS * TP 센터 * 200 mm 웨이퍼 * [[기흥]] 6 라인 {{{-2 (180~65nm / 월 30만 장)}}}[* 7/8라인이 6라인으로 통합되었다.] * 300 mm 웨이퍼 * [[기흥]] S1 라인 {{{-2 (1983~ / 65~7nm / 월 8.5만 장)}}}[* 메모리 사업부 소속 시절의 9라인과 14라인을 통합시켰다. 이후 2005년에 증설했다.] * [[오스틴]] S2 라인 {{{-2 (2011~ / 65~14nm / 월 10만 장)}}}[* 메모리 사업부로부터 넘어오면서 S2 라인으로 명칭 변경.] * [[화성]] S3 라인 {{{-2 (2017~ / 10nm 이하 / 월 20만 장)}}}[* 메모리 17라인과 같은 건물에 위치해있다] * [[화성]] S4 라인 - [[삼성 아이소셀]] 이미지센서 생산 라인 {{{-2 (2002~ / 월 10만 장)}}}[* D램을 생산하던 구 메모리 11라인. 2018년부터 이미지센서 라인으로 순차적 전환 시작하였으며 2020년에 전환 완료.] * [[화성]] V1 라인 {{{-2 (2020~ / 7nm)}}}[* 자사 첫 EUV 전용 라인이다.] * [[평택]] S5 라인[* 평택 P2 FAB 내 있는 5nm 이하 선단 Node 칩 생산 라인.] * [[평택]] V2 라인[* 자사 두 번째 EUV 전용라인.] * 건설 중인 공장 * [[텍사스|테일러]] {{{-2 (~2024 / 5~3nm)}}}[* 2021년, 170억 달러 투자를 발표했다. 기존 오스틴 공장 부지의 4배 규모. 2023년, 250억 달러 규모로 불어났다.] * [[오스틴]] {{{-2 (5nm 이하)}}}[* 2021년, 245억 달러 규모의 증설 발표.] 삼성전자 파운드리 사업부는 TSMC와는 달리 레거시 공정 생산 CAPA가 거의 없고, 65nm 이하의 생산 라인들이 대다수이다. 2020년대에 건설한 라인은 모두 10nm, 혹은 그 이하의 선폭의 칩을 생산할 수 있도록 EUV 장비를 들이고 있는 초미세공정 전용 라인이다. 2022년 300mm 웨이퍼 환산 기준으로 월간 50만 장 규모의 생산 시설을 갖췄다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기